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石墨烯有望取代硅

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1464次  |  2018年06月09日  

  石墨烯——一種由單層碳原子組成的材料,排列在一個(gè)二維的蜂巢形狀的格子里——具有高超的光學(xué)、機(jī)械和電氣性能。在2003年被發(fā)現(xiàn),它被發(fā)現(xiàn)具有極高的電子移動(dòng)性(25萬(wàn)cm2/vs),并且具有極高的導(dǎo)熱性(5000w/mK),以及其他令人滿意的特性。石墨烯非常適合電子工業(yè),因?yàn)樗哂泻芨叩膶?dǎo)電性。但研究人員一直希望將其作為一種非傳統(tǒng)的晶體管材料,這一想法自發(fā)現(xiàn)以來(lái)一直未能得到科學(xué)界的注意。石墨烯不能用作晶體管材料的主要原因是它有一個(gè)零帶隙,使它成為導(dǎo)體而不是半導(dǎo)體。

  要生產(chǎn)開(kāi)關(guān)設(shè)備,就像晶體管一樣,需要一個(gè)帶隙。帶隙是半導(dǎo)體和導(dǎo)體之間的價(jià)與傳導(dǎo)帶之間的能量差。帶隙的存在使得電子從價(jià)電子到傳導(dǎo)帶的運(yùn)動(dòng),反之亦然,因此這種材料可以在諸如晶體管等設(shè)備上開(kāi)關(guān)電流。在石墨烯中,價(jià)和傳導(dǎo)帶相遇,類似于典型的金屬,如圖所示:

  科學(xué)家們最近通過(guò)一些嘗試已經(jīng)能夠產(chǎn)生100毫電子伏(meV)的帶寬,但這還不足以創(chuàng)造出電子設(shè)備。一個(gè)典型的半導(dǎo)體的帶隙大于0。5eV。

  位于韓國(guó)基礎(chǔ)科學(xué)研究所(IBS)的多維碳材料中心(CMCM)的一組研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種方法,將氫加入石墨烯,以改善其電子和半導(dǎo)體的行為。了解石墨烯與其他材料的化學(xué)反應(yīng)將會(huì)增加它作為未來(lái)半導(dǎo)體材料的效用。

  IBS的研究人員將氫結(jié)合在一起——一種預(yù)期的反應(yīng)將會(huì)增加石墨烯的帶隙——通過(guò)使用一種已知的“鳥(niǎo)式反應(yīng)”的方法。“這是基于溶解在氨中的鋰,通過(guò)C-H鍵的形成將氫引入石墨烯。

  IBS的研究人員發(fā)現(xiàn),氫化反應(yīng)發(fā)生在單層石墨烯的高速率,而在多層石墨烯中緩慢地進(jìn)行。但是,關(guān)于電子屬性的變化,最重要的發(fā)現(xiàn)是光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的重大變化。考慮到氫化是一個(gè)簡(jiǎn)單而簡(jiǎn)單的過(guò)程,這對(duì)未來(lái)是一個(gè)好兆頭。

  通過(guò)對(duì)單層石墨烯和幾層石墨烯的化學(xué)成分的深入了解,相信在電子、光電、光電、傳感器、復(fù)合材料和其他領(lǐng)域,許多新的化學(xué)功能化石墨烯的應(yīng)用是可能的。

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